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電感耦合等離子體刻蝕ICP

簡要描述:v兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

代理商

更新時間

2024-10-22

瀏覽次數(shù)

426
詳細介紹

v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓,快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

v 電極的適用溫度范圍寬,-150°C400°C

v ICP源尺寸為65mm,180mm,300mm

v 應(yīng)用方向:

? III-V族材料的刻蝕工藝

? 固體激光器InP刻蝕

? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

? 射頻器件低損傷GaN刻蝕

? Bosch和超低溫刻蝕工藝

? 類金剛石(DLC)沉積

? 二氧化硅和石英刻蝕

? 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓

? 沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途

? 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕


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